在中國薄弱的基礎技術與基礎工業之下，中中國產晶片的發展尤為艱難。加之海外技術壟斷，以及對中國技術企業的打壓，中國的半導體發展遇到不小的挫折。現在，中國晶片需求量全球第一位，而晶片自給率卻不足30%。這就使得中國每年需要耗費2000億美元，用於進口晶片。

這是中國晶片產業的不足，必須要正視。但近年來，中國也取得了許多值得稱讚的成績，同樣需要重視。近年來，中國在碳基領域的突破引人矚目。5月，北大關於全新碳奈米管制備方法登上權威學術期刊《Science》。而中科院也因在碳基晶片技術上的突破，而成功刊載於《Science》之上。

近日，北京大學成功研發出抗輻射奈米管電晶體與積體電路，因此登上頂級學術期刊《自然·電子學》。碳基半導體抗輻射是一項世界性難題，而北大團隊的成功突破，意味著中國在碳基方面的研究再次取得領先。這一研究成功，在核工業這類高輻射行業有廣泛應用空間。

碳基被看做未來矽基晶片的接替者，是未來晶片行業的一大發展方向。藉助碳基技術，中國晶片產業有望從材料起步，達到完全突破，從而做到直道超車。因此，業界對於碳基技術格外關注。不過，碳基技術距離實際應用，還需要不少的時間。近日，上海新陽在光刻膠領域的突破，更能解燃眉之急。

光刻膠是晶片製造過程中，所需的重要材料，長期被日本企業壟斷。而經過多年的努力，上海新陽已在光刻膠領域小有成就。近日，上海新陽更是將通過向特定物件發行股票的方式，募集最高15億元資金，進一步增強其在光刻膠領域的實力。

據悉，上海新陽募集的7.32億元資金，用作積體電路製造用高階光刻膠研發與產業化專案。多年來，中國中低端光刻膠發展迅速，但在高階光刻膠領域卻遲遲難以突破。若是日企對中國的高階光刻膠出售受阻，那影響不容小視。

已成為中國光刻膠巨頭的上海新陽的這一舉措，無疑將填補中國空白。據悉，積體電路製造中ArF幹法工藝用光刻膠、3D NAND臺階刻蝕用KrF厚膜光刻膠是本次上海新陽高階光刻膠專案的，兩大目標。北大團隊與上海新陽的成績令人欣慰，給中中國產晶片的發展帶來了曙光，也期待更多半導體及相關企業，都取得更多的突破。