這項技術的早期採用，可追溯到 2013 年。但直到 2017 年，產能才突破了 100 萬片 300mm 晶圓。2018 年的時候，產能增加了 90 萬片。
2019 年，華為麒麟 990 5G / 高通即將推出的驍龍 700 系列 / 以及三星自家的 EUV 晶片，又增加了 250 萬片晶圓。
【自 2016 年以來，複合年增長率已達到 95％ 。題圖 via AnandTech】
此外，ASML 的 NXE：3400B 步進掃描機已成為大多數 EUV 產品的核心。如上圖所示，到 2019 年第二季度，安裝量已達 38 臺。B 版本已被 NXE：3400C 版本取代，峰值狀況下可每小時加工 175 個晶圓。
NXE：3400C 機型的優勢之一，就是採用了模組化的設計。當出現鏡面缺陷的時候，只需 8~10 個小時來更換，而不是讓整機停擺 48 小時。
作為 EUV 機器正常執行時間的另一個重要指標，每週要耽擱 2~3 天的維修等待時間，顯然是無法彌補每小時 175 片晶圓加工速度的損失的。
在之前的光刻會議上，晶片巨頭英特爾就展示過一張幻燈片，以深入瞭解其極紫外光刻機的正常執行和停機時間。
據悉，該公司的 3400B 型機器，每週工作時間為 168 個小時。其在 2018 年末僅運行了一週時間，但某幾周的停機時間達到了 80~90% 。
2019 年中期（比如第 14 周），其出現了長達一天的計劃正常執行 / 停機時間，後者佔比 14~20% 。
需要指出的是，英特爾尚未公開銷售 EUV 工藝晶片，因此仍需經過校準、測試和開發的流程。該公司有望將 EUV 工藝引入先進的 7nm 處理器中，預計投產時間為 2021 年。
作為機器製造商，ASML 也希望促進其 NXE 機器的晶圓產能，從 2014 年的每小時 10 多片，提升到 2019 年的 170~175 片。
最後介紹的是 EXE：5000 系列光刻機，其透過“High-NA”技術，為臺積電的 3nm / Intel 5nm 製造工藝提供支撐。引數上從 0.33 NA 轉移到了 0.55 NA，有助於改善越來越小的工藝製程。
至於 High-NA EXE 機器的速度是否超過 NXE 機器或與之相當，目前暫不得而知。ASML 介紹稱，新機器有望在 2023 年投放市場，屆時 EUV 將在前沿領域得到廣泛應用。
這項技術的早期採用，可追溯到 2013 年。但直到 2017 年，產能才突破了 100 萬片 300mm 晶圓。2018 年的時候，產能增加了 90 萬片。
2019 年，華為麒麟 990 5G / 高通即將推出的驍龍 700 系列 / 以及三星自家的 EUV 晶片，又增加了 250 萬片晶圓。
【自 2016 年以來，複合年增長率已達到 95％ 。題圖 via AnandTech】
此外，ASML 的 NXE：3400B 步進掃描機已成為大多數 EUV 產品的核心。如上圖所示，到 2019 年第二季度，安裝量已達 38 臺。B 版本已被 NXE：3400C 版本取代，峰值狀況下可每小時加工 175 個晶圓。
NXE：3400C 機型的優勢之一，就是採用了模組化的設計。當出現鏡面缺陷的時候，只需 8~10 個小時來更換，而不是讓整機停擺 48 小時。
作為 EUV 機器正常執行時間的另一個重要指標，每週要耽擱 2~3 天的維修等待時間，顯然是無法彌補每小時 175 片晶圓加工速度的損失的。
在之前的光刻會議上，晶片巨頭英特爾就展示過一張幻燈片，以深入瞭解其極紫外光刻機的正常執行和停機時間。
據悉，該公司的 3400B 型機器，每週工作時間為 168 個小時。其在 2018 年末僅運行了一週時間，但某幾周的停機時間達到了 80~90% 。
2019 年中期（比如第 14 周），其出現了長達一天的計劃正常執行 / 停機時間，後者佔比 14~20% 。
需要指出的是，英特爾尚未公開銷售 EUV 工藝晶片，因此仍需經過校準、測試和開發的流程。該公司有望將 EUV 工藝引入先進的 7nm 處理器中，預計投產時間為 2021 年。
作為機器製造商，ASML 也希望促進其 NXE 機器的晶圓產能，從 2014 年的每小時 10 多片，提升到 2019 年的 170~175 片。
最後介紹的是 EXE：5000 系列光刻機，其透過“High-NA”技術，為臺積電的 3nm / Intel 5nm 製造工藝提供支撐。引數上從 0.33 NA 轉移到了 0.55 NA，有助於改善越來越小的工藝製程。
至於 High-NA EXE 機器的速度是否超過 NXE 機器或與之相當，目前暫不得而知。ASML 介紹稱，新機器有望在 2023 年投放市場，屆時 EUV 將在前沿領域得到廣泛應用。