晶片光刻的過程原理還是有難度的。

光刻是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然後透過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這裡所說的襯底不僅包含矽晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

光刻技術的基本原理

光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光後因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。

光刻半導體晶片二氧化矽的主要步驟是：

1、塗布光致抗蝕劑；

2、套準掩模板並曝光；

3、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層；

4、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化矽層；

5、去除已感光的光致抗蝕劑層。

光刻技術的不斷髮展從三個方面為積體電路技術的進步提供了保證：

其一是大面積均勻曝光，在同一塊矽片上同時做出大量器件和晶片，保證了批次化的生產水平；

其二是圖形線寬不斷縮小，使用權整合度不斷提高，生產成本持續下降；

其三，由於線寬的縮小，器件的執行速度越來越快，使用權積體電路的效能不斷提高。隨著整合度的提高，光刻技術所面臨的困難也越來越多。