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）比較常用的方法是在熱ALD的基礎上引入等離子體技術來降低沉積溫度。穆恩等人。以131Cu(dmamb)2為銅前驅體，採用氫等離子體技術在～180℃範圍內沉積了Cu薄膜。沉積速率為0.065nm/眼，薄膜中碳氧雜質約為5%。科伊爾等人。41利用等離子體增強ALD技術，使用新型含氮雜環卡賓銅前驅體（銅(1)NHCs)，在前驅體溫度為90℃，沉積溫度為225℃時，可獲得低電阻率銅薄膜。

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