近幾年，芯片行業出現了全球缺芯問題，各大晶圓廠紛紛投資建廠擴大產能，光刻機需求迅速增大。這讓ASML獲得了較快發展，業績大漲的同時，關注度也越來越高。

然而，ASML也並不是一帆風順，陸續遇到了柏林工廠火災、氯氣供應不足、蔡司鏡頭產量跟不上等種種問題。近日又有兩個問題出現，外媒表示：ASML的拐點出現了！

EUV光刻機遇到問題

我們都知道，全球目前僅有3個國家、4家企業能夠生產前道光刻機，分別是荷蘭的ASML、日本的尼康和佳能、中國的上海微電子，但只有ASML一家能夠生產EUV。

EUV光刻機，稱為極紫外光刻機，波長達到了13.5nm，工藝極其複雜。晶圓廠生產7 nm-3nm製程芯片就要用到它，生產2 nm-1nm製程芯片就要用到更先進的EUV。

可以說，ASML光刻機的發展程度，決定著目前全球晶圓廠製程微縮能達到的程度。

由於EUV技術的複雜性，出貨10多年總共才140多臺，為此，ASML計劃擴大產能，希望到2025年時達到年出貨90臺EUV。同時，進一步推進下一代High-NA EUV。

然而，事情似乎並不會像計劃那麼順利。芯片行業整體已開始出現下行趨勢，臺積電陸續遭遇砍單，於是計劃年底前關閉4臺EUV，這或許將對EUV的出貨產生影響。

另外，英偉達CEO開始吐槽摩爾定律結束了，原因是現在先進製程芯片成本過高了。

EUV光刻機走到盡頭

高端芯片成本過高跟EUV關係很大，一臺EUV約1.2億美元，High-NA EUV約4億美元。不僅EUV光刻機的成本越來越高，關鍵是耗電也非常多，High-NA EUV將更多。

鑑於這些情況，近日ASML首席技術官透露，High-NA EUV或將是最後一代EUV了。

因為EUV數值孔徑為0.33，High-NA EUV達到了0.55，接下來可能是Hyper-NA。但再往下發展的話，不僅技術難以突破，製程和使用成本就過於高了，恐怕不太可行。

成本是不得不面對的一個重要問題，摩爾定律的意思是芯片性能每隔2年提升一倍，同時價格下降為之前的一半。但這個情況，貌似從28nm製程以後就不一樣了。

因此，28nm被認為是芯片性能和成本的最佳結合點。臺積電應該也深有體會，隨著製程的前進，使用先進製程的客戶越來越少，5nm就比7nm的客戶少，3nm會更少。

臺積電3nm初代工藝N3先後被英特爾和蘋果放棄，最重要的原因就是成本過高了。

超越EUV替代品出現

最近，英偉達新產品上市，性能雖然提升明顯，但價格上漲卻被非議。為此，CEO黃仁勳直言摩爾定律結束了。這種情況將會越來越多，臺積電和ASML不得不面對。

尤其是ASML， EUV未來如何發展恐怕得好好思考了。不過，還不僅僅是這個問題。

近日，有媒體傳出消息，一家叫Zyvex Labs的美企宣佈，他們突破了全球分辨率最高的亞納米分辨率光刻系統，可以不用EUV光刻機，就能製造出0.768nm的芯片。

按照發布的信息介紹，該方式基於STM掃描隧道顯微鏡，使用的是電子束光刻（EBL）方式，精度遠超EUV光刻機。ASML的High-NA EUV，最高也難以突破1nm的極限。

問題是人家這款產品並不是實驗室產品，而已經可以接受預定，6個月後即可交貨。

那麼，ASML這是要被超越了嗎？壓力肯定不小，不過，美企的這款設備技術也有缺陷，那就是不太適合量產，也就是產量極低，只適合製作那種小量的高精度芯片等產品。

但這並不表示ASML就可以高枕無憂了，要知道科技是一直在向前發展的，說不定什麼時候就可以解決量產的問題，就像現在突然出現了可製造1nm以下芯片技術。

ASML還得面對EUV可能到終點或被替代的問題，為此外媒才說ASML拐點出現了！