​中國作為晶片消費大國，每年都需要從國外進口半導體晶片，其中DRAM記憶體晶片佔比最高，有20%以上。DRAM領域一直被三星、SK海力士、美光這國際三巨頭掌控，中國在此領域多年來一直沒有突破，而近來的一則行業訊息頗為振奮人心，可謂“零的突破”。

近日，DRAM中國產記憶體晶片廠商長鑫儲存公佈其最新的DRAM技術路線圖，目前公司已採用19奈米的工藝生產DDR4記憶體，包括4Gb和8Gb兩種型號，目標是在2020年第一季度上市。受利好訊息影響，DRAM產業鏈公司股價大漲，北方華創週三早盤一度漲停，收漲7.93%。

儲存器是半導體最大的細分領域，佔比約35%。而DRAM佔據儲存器市場50%以上份額，是半導體的核心產品，也是半導體中國產化的關鍵。中國作為全球最大的DRAM需求市場，佔全球DRAM60%以上需求份額，但目前主流DRAM產品自給率幾乎為0。

2019-2021年，國盛證券預計國內DRAM市場為2790、3345、4505億元，隨著5G時代的來臨，儲存的資料量將呈現指數級增長。未來市場對DRAM儲存器的需求量仍將保持較大的增長勢頭，中國急需借鑑發達國家大力投入技術研發，攻堅核心技術、實現中國產化，DRAM產業實現自主可控勢在必行。

而本次長鑫的順利投產，意味著國內在DRAM領域實現從0到1的突破，意義重大。長鑫儲存專案一期設計產能12萬片/月，三期滿產後，產能將達到36萬片/月，僅次於三星、海力士和美光，這將有力突破三家巨頭的壟斷。另一方面，長鑫作為國記憶體儲器龍頭企業，將帶動配套的上游裝置及原材料企業迅速成長，相關供應商迎來重大發展機遇。

據公開資料顯示，長鑫儲存DRAM技術來源於奇夢達，後者是從英飛凌（國際半導體巨頭）拆分出來的知名DRAM大廠。之後長鑫通過與國際大廠合作，持續投入研發超過25億美元，並不斷完善自身研發技術，目前長鑫儲存已形成自己的技術體系。目前雖然技術、產能都不能與海外大廠相比較，但對於國內還無法自制DRAM的現狀來說，確屬一大突破。

另外，長鑫儲存計劃再建兩座DRAM晶圓廠，繼續擴大產能以滿足國內龐大的DRAM需求。預計到2020年底，其10nm級工藝技術的產能為12萬片晶圓(12英寸)，媲美SK海力士在無錫的工廠。

華創證券指出，從長鑫儲存DRAM技術發展的路線規劃來看，其研發的產品線包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6，產品發展線路與三星、SK海力士、美光等國際大廠DRAM發展大體一致。

5G的快速發展為半導體行業帶來巨大發展機遇，車用半導體、IoT和攝像頭帶來新增長點。另外，整機廠商供應鏈的中國產化，也為半導體產業帶來市場空間。兆易創新、北方華創、長川科技、長電科技、華天科技等產業鏈公司迎來發展機遇。

風險提示：投資有風險，入市需謹慎，文中所提板塊、個股均只作為邏輯分析與技術交流之用，不作為操作建議，據此操作風險自擔！